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懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程

来源:夸克云盘
时间:2024-04-03
用户:夸父*482

内容详情:0001--3-9-缺陷(二)与辐照特性仿真(总剂量效应).mp4 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4 0001--3-4_物理模型(二)与温度仿真.mp4 0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4 0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4 0001--工艺仿真提前梳理(临时).mp4 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4 0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4 0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4 0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4 0001--3-11-交流小信号分析(二).mp4 0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4 0001--3-10-交流小信号分析.mp4 0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理(一).mp4 0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4 0001--3-7-混合模式(二)-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4 0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4 0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4 0001--2-5...等。

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