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内容详情：0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4 0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4 0002--4-2_版图绘制基础（上）.mp4 0001--3-11-交流小信号分析（二）.mp4 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4 0003--4-3-版图绘制（中）-Cell处理与实用小工具.mp4 0011--4-11-sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS.mp4 0012--4-12_离子注入仿真（上）.mp4 0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4 0001--3-4_物理模型（二）与温度仿真.mp4 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应与总剂量效应）.mp4 0004--4-4-版图绘制（下）-派生图层与宏命令编写.mp4 0001--3-10-交流小信号分析.mp4 0001--3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4 0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4 0001--3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4 0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4 0008--4-8-工艺仿真基础（三）（下）.mp4 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4 0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4 0005--4-5-工艺仿真基础（一）.mp4 0001--3-5_碰撞电离...等。
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